Toshiba Electronics Europe hat sein Angebot an 650V Siliziumkarbid (SiC) Schottky-Barrier-Dioden (SBD) um 6-, 8- und 10-A-Bausteine erweitert. Sie stehen jetzt zusätzlich zu den 12A SBDs bereit, die sich seit diesem Jahr in Serienfertigung befinden. SBDs eignen sich sowohl für Inverter in der Solarstromerzeugung, als auch als Ersatz für Siliziumdioden in Schaltnetzteilen, wo sie 50% effizienter arbeiten können.
SiC-Leistungshalbleiter ermöglichen einen stabileren Betrieb als derzeitige Siliziumbausteine – selbst bei hohen Spannungen und Strömen – da siewährend des Betriebs wesentlich weniger Verlustwärme erzeugen. Sie erfüllen die Forderungen nach kleineren, effizienteren Kommunikationslösungen und eignen sich für industrielle Anwendungen von Servern über Wechselrichter, Bahntechnik bis hin zu Automobilelektronik.
Toshiba’s SBDs bieten einen maximalen Sperrverzögerungsstrom (IRRM) von 90µA bei 650V. Alle Bausteine werden im TO-220-Gehäuse ausgeliefert. Weitere Gehäuseoptionen sind geplant.
