Die Automotive-AECQ101- und industrietauglichen 1200-V-SiC-Dioden eignen sich für Leistungselektronik-Anwendungen wie EV-Ladestationen und Solarwechselrichter, USV, EV-OBCs (On-Board-Ladegeräte) und EV-DC/DC-Wandler. SiC-Dioden bieten gegenüber Silizium-Lösungen höhere Zuverlässigkeit, weniger EMI und einfachere Kühlungsanforderungen.
Das neue Design verbessert die SiC-Dioden der ersten Generation durch eine kleinere Chipgröße und eine geringere Kapazität. Die NVDSH20120C, NDSH20120C, NVDSH50120C und NDSH50120C bieten einen geringeren Durchlassspannungsabfall und einen vierfach höheren Nennstrom bei einer höheren Anstiegsrate (di/dt) von 3500 A/µs. Die kleinere Chip-/Die-Größe sorgt laut Hersteller für einen um 20% geringeren Wärmewiderstand in einem F2-Gehäuse.
Die 650-V-SUPERFET III FAST SJ-MOSFETs bieten laut Hersteller ein besseres Schaltverhalten als andere Superjunction-MOSFETs mit einem höheren Wirkungsgrad und einer höheren Systemzuverlässigkeit.
