Typische Anwendungen für die EliteSiC-Bauelemente sind USVs, DC/DC-Wandler, Boost-Wechselrichter, Solarwechselrichter, Ladestationen für Elektrofahrzeuge und industrielle Energiesysteme. Die Bauelemente sind Pb-frei, halogenfrei und RoHS-konform.
Zu den Produkten gehören:
- EliteSiC-Leistungsmodul mit 1N-Kanal: typ. RDS(on) = 80 mOhm, Gate-Ladung typ. QG(tot) = 56 nC, effektive Ausgangskapazität typ. Coss = 79 pF, TJ = 175°C, 100% Avalanche-getestet
- EliteSiC-MOSFET NXH006P120MNF2: Leistungsmodul, das eine SiC-MOSFET-Halbbrücke (6mOhm/1200V) und einen Thermistor in einem F2-Gehäuse enthält, optional mit aufgebrachtem Wärmeleitmaterial (TIM) und lötbaren oder Einpressstiften.
