Einsatzbeispiele sind Halbleiter-Leistungsschalter und Schaltungsschutz, falls standardgemäß ein leitender Zustand bei fehlendem Gate-Strom erforderlich ist. SiC-JFETs kommen auch in Serie zu einem Si-MOSFET als Superkaskoden zum Einsatz, die Vorteile von Halbleitern mit breiter Bandlücke (WBG; Wide Band-Gap) mit hohen Betriebsspannungen und einfacher Gate-Ansteuerung bieten.


Andere Anwendungen umfassen elektronische Lasten, Synchrongleichrichter für drahtloses Laden und Leistungsschalter in stromsparenden Sperrwandlern, bei denen der JFET in einer Kaskodenkonfiguration ein einfaches Hochfahren ermöglicht. Mögliche Einsatzgebiete sind der Stromkreisschutz in der Bahntechnik und in elektrischen Flugzeugen sowie die Leistungswandlung bei hohen Spannungen.



Die Bauteile ...

lassen sich aufgrund ihres positiven Temperaturkoeffizienten des RDSON und der flachen Gate-Schwellenspannungskurve über der Temperatur einfach parallel schalten. Im Linearmodus bieten SiC-JFETs einen breiten sicheren Arbeitsbereich (SOA; Safe Operating Area) ohne Stromanhäufung und Stromfilamentbildung. Damit eigenen sich SiC-JFETs besonders für elektronische Lasten und Strombegrenzer. Das Fehlen eines Gate-Oxids in den SiC-JFETs ergibt zusätzliche Vorteile wie Strahlungsfestigkeit und allgemeine Robustheit.


UnitedSiC nutzt seinen eigenen 6-Zoll-Wafer-Prozess für die Fertigung, bei dem fortschrittliche Wafer-Thinning- und Chipbefestigungstechniken für einen niedrigen Wärmewiderstand zwischen Sperrschicht und Gehäuse sorgen. Die SiC-JFETs der dritten Generation umfassen den UJ3N120070K3S (1200 V, 70 mΩ), UJ3N120035K3S (1200 V, 35 mΩ), UJ3N0650080K3S (650 V, 80 mΩ) und UJ3N065025K3S (650V, 25 mΩ). Alle Bausteine werden im TO-247-3L-Gehäuse ausgeliefert.



Die Preise ...

für UnitedSiCs Gen-3 SiC JFETs beginnen bei 5 US$ (ab 1000 Stück). Sie sind über Mouser und Distributoren vor Ort erhältlich.