GaN liefert laut Macom 8 Mal mehr Rohstoff-Leistungsdichte als Hochleistungs-GaAs- und LDMOS-Technologien und besitzt darüber hinaus die Fähigkeit, die Gerätetechnik auf Hochfrequenz zu skalieren. Mit GaN-Technologie sind Entwickler in der Lage, hohe Bandbreiten unter Beibehaltung hoher Wirkungsgrade zu erzielen.



Kostenstruktur wird niedriger

Bei voller Ausreifung ist zu erwarten, dass die GaN auf Si-Kostenstruktur in Mainstream-Siliziumhalbleiterfabs gegenüber der heutigen GaN auf SiC-Struktur bedeutend niedriger wird. Macom ist deshalb gerade dabei, die Produktion auf 8-Zoll-Wafer umzustellen.


Das soll dazu beitragen, den eigenen Umsatz in Europa, der zirka 10% des gesamten Macom-Umsatzes beträgt, perspektivisch auf bis zu 25% zu erhöhen. Deshalb hat das Unternehmen jetzt in Deutschland seine neuen S-Band-GaN-Produkte im Surface-Mount-Gehäuse vorgestellt.



Zwei S-Band-GaN-Bausteine und ein Pallet

Die Produkte sind für zivile Flugsicherungs-, Wetterradar- und militärische Radaranwendungen optimiert. Es sind verschiedene Gehäuse und Leistungsstufen erhältlich. Die 30-W/Kanal- und 85-W/Kanal-Hybrid-GaN-Verstärker werden von einer 350-W/Kanal-Pallet-Option auf Aluminiumbasis ergänzt.


Die GaN auf SiC S-Band-Bausteine haben Abmessungen von 7mm x 7mm bzw. 14mm x 24mm, während das Pallet 51mm x 23mm misst. Ihre berechnete mittlere Betriebsdauer bis zu einem Ausfall (Mean Time To Failure – MTTF) bei 200 ⁰C beträgt rund 600 Jahre. Muster sind bereits verfügbar.