International Rectifier hat eine Familie von planaren MOSFETs vorgestellt, die für den Einsatz in Verbrennungsmotoren, hybriden sowie vollelektrischen Fahrzeugplattformen gedacht sind. Die Bausteinfamilie, umfasst 55V- und 150V-N-Kanal-MOSFETs mit Standard Gate-Ansteuerung, sowie -55V- und -100V-P-Kanal-MOSFETs, ebenfalls mit Standard Gate-Ansteuerung. Diese eignen sich für High-Side-Schaltapplikationen, da sie keine zusätzliche Ladungspumpe für die Gate-Ansteuerung benötigen.

Die 30V-, 55V- und 100V-N-Kanal MOSFETs mit einer Gate-Ansteuerung auf Logikpegel vereinfachen die Anforderungen an die Gate-Treiber. Die Bausteine sind entsprechend den AEC-Q101 Standards qualifiziert. Sie sind durch bleifreie und RoHS-konforme Materialien gekennzeichnet, und sind Bestandteil der auf den Automobilbereich fokussierten Zero-Defect-Initiative.

Alle Automotive-MOSFETs von IR werden als Teil von IR´s Automotive-Quality-Initiative dynamischen und statischen Part Average-Tests unterzogen, kombiniert mit einer 100 prozentigen automatischen Sichtprüfung auf Waferebene. Die AEC-Q101 Qualifikation schreibt vor, dass sich der Rds(on) nach 1.000 Test-Temperaturzyklen um nicht mehr als 20 Prozent verändern darf. IR´s neue AU-Materialien wiesen in erweiterten Tests eine maximale Rds(on)-Verschiebung von 12% bei 5.000 Temperaturzyklen auf.