Oberflächenmontierbare Leistungshalbleiter-Brücken

STROMVERSORGUNG AUTOMOTIVE

St Power
©STMicroelectronics

STMicroelectronics hat fünf Leistungshalbleiter-Brücken in Konfigurationen eingeführt, die mit dem Acepack-SMIT-Gehäuse des Unternehmens ausgestattet sind. Dazu gehören zwei STPower MOSFET-Halbbrücken mit 650V Nennspannung, eine 600-V-Diodenbrücke, ein halbgesteuerter 1.200-V-Vollwellen-Gleichrichter und ein thyristorgesteuerter 1.200-V-Brückenzweig.

Die Bauelemente erfüllen die Anforderungen der Automobilindustrie und eignen sich für Bordladegeräte (On-Board Chargers, OBCs) und DC/DC-Wandler von Elektrofahrzeugen sowie für industrielle Leistungswandler-Anwendungen.

Das oberflächenmontierbare Gehäuse der Bauart Acepack SMIT verbindet das Handling eines isolierten Gehäuses mit der thermischen Effizienz eines exponierten Drain-Anschlusses. Um eine Kühlung über die Gehäuseoberseite zu ermöglichen, ist es für die Die-Befestigung per DBC-Technik (Direct-Bonded Copper) geeignet. Die 4,6cm² große metallene Oberseite ermöglicht die Anbringung eines flächigen Kühlkörpers.

Die Kühlung über die Oberseite minimiert nicht nur die Bauhöhe und verbessert die Leistungsdichte, sondern ergibt zusammen mit dem Gehäuse-Footprint von 32,7mm x 22,5mm eine Kriechstrecke von 6,6mm von Anschluss zu Anschluss. Die Isolationsspannung zwischen Tab und Anschluss beträgt 4.500 Vrms.

  • Die 650 V MOSFET-Halbbrücken SH68N65DM6AG und SH32N65DM6AG in MDmesh DM6 Technologie sind ab sofort im ACEPACK SMIT Gehäuse lieferbar und besitzen die AQG-324-Qualifikation. Ihre maximalen RDS(on)-Werte betragen 41mΩ (SH68N65DM6AG) bzw. 97mΩ (SH32N65DM6AG). Die Module können in DC/DC-Wandlern für das Bord-Ladegerät und den Hoch-/Niederspannungs-Teil verwendet werden.
     
  • Der für 600V und 60A ausgelegte Vollwellen-Brückengleichrichter STTH60RQ06-M2Y besteht aus ultraschnellen Dioden mit sanftem Sperrverzögerungs-Verhalten und ist PPAP-konform für den Einsatz in Automotive-Anwendungen.
     
  • Der für 1.200V und 60A dimensionierte, halbgesteuerte und einphasige Brückengleichrichter STTD6050H-12M2Y ist gemäß AEC-Q101 qualifiziert und bietet eine Störbeständigkeit bis zu dV/dt-Werten von 1.000 V/µs.
     
  • Die Halbbrücke STTN6050H-12M1Y (1.200V/60A) besteht aus zwei intern verschalteten Thyristoren bzw. SCRs (Silicon-Controlled Rectifiers). Der gemäß AEC-Q101 qualifizierte Baustein kann in OBCs und Ladestationen für Elektrofahrzeuge eingesetzt werden und eignet sich für industrielle Anwendungen wie AC/DC-Wandler in Antrieben und Stromversorgungen, ein- und dreiphasige, gesteuerte Gleichrichterbrücken, Leistungsfaktor-Korrekturschaltungen in Totem-Pole-Konfiguration sowie Halbleiterrelais.


Verfügbarkeit und Preise

Alle genannten Bauteile werden bereits produziert. Die Diodenbrücke STTH60RQ06-M2Y und die halbgesteuerte Brücke STTN6050H-12M1Y sind ab 10,- US-Dollar lieferbar. Die SCR-Halbbrücke STTD6050H-12M2Y und die 650-V-MOSFET-Halbbrücke SH32N65DM6AG kosten je 12,- US-Dollar und die MOSFET-Halbbrücke SH68N65DM6AG 18,- US-Dollar (jeweils ab 1.000 Stück).

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