Texas Instruments hat eine NexFET-Power Block-MOSFET Halbbrücke in einem SON-Gehäuse, mit einer Grundfläche von 3 mm × 3 mm, auf den Markt gebracht. Das Block-Paket CSD86330Q3D erreicht laut Hersteller einen Wirkungsgrad von mehr als 90 Prozent bei 15 A.
Der NexFET-Power Block befindet sich in Serienfertigung und ist über TI oder autorisierte Händler erhältlich. Der empfohlene Verkaufspreis für den CSD86330Q3D beträgt 0,95 US-Dollar (Stückpreis bei 1.000 Einheiten). Muster und Evaluierungsmodule sind verfügbar.
