Aufgrund eines Durchlasswiderstands von max. 4,6mΩ bei UGS=3,8V und eines Gate-Source-Leckstroms von max. 1μA bei UGS=8V bietet dieser diskrete Leistungselektronikbaustein laut Anbieter bessere Wärmeeigenschaften als vergleichbare Bauelemente. Das beeinflusst die Lade-/Entladezyklen der Akku-Packs positiv, da Lösungen mit höherer Dichte schnellere Ladevorgänge unterstützen, eine viel höhere Zuverlässigkeit bieten und eine längere Lebensdauer aufweisen.
Die MOSFETs werden im TCSP6A-172101-Gehäuse (2,14mm x 1,67mm x 0,11mm) ausgeliefert, was den Einbau in platzsparende akkubetriebene Geräten erlaubt.
