Innoscience eröffnet F&E-Zentrum in Belgien

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Innoscience hat seine europäische Niederlassung mit einem F&E-Zentrum in Leuven (Belgien) erweitert. Das Unternehmen ist auf GaN-on-Si-Stromversorgungslösungen (Gallium-Nitrid-auf-Silizium) spezialisiert.



Das europäische F&E-Zentrum wird von Dr. Jan Šonský geleitet, der als Vizepräsident für Forschung und Entwicklung im Mai 2022 von NXP zu Innoscience kam. Er hat einen Doktortitel von der Technischen Universität Delft in den Niederlanden und verfügt über 20 Jahre Erfahrung in Forschung und Entwicklung in der Halbleiterindustrie.

Der Standort liegt in der Nähe von IMEC, einem Zentrum für Halbleitertechnologien,  und der KU Leuven, die im Bereich Leistungselektronik aktiv ist.


Innoscience ist ...

ein 2015 gegründeter Chiphersteller, zu den Hauptinvestoren gehören CMBI, ARM, SK und CATL. Im November 2017 hat das Unternehmen in Zhuhai (China) eine 8-Zoll-Waferlinie für die Serienfertigung von GaN-on-Si-Bauelementen eingerichtet. Im September 2020 wurde eine Anlage in Suzhou (China) eingeweiht. Der Anbieter von GaN-Technologie beschäftigt über 1400 Personen. Die GaN-Bauelemente werden u.a. für Anwendungen wie Cloud-Computing, Elektrofahrzeugen (EV) und Automotive, tragbare Geräte, Ladegeräte und Adapter für Mobiltelefone genutzt.

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