Von Infineon gibt es eine neue Serie von LNAs (Low Noise Amplifiers) und Vierfach-LNA-Bänken für den LTE-Standard. Mit diesen Verstärker-ICs kann die Datenrate in Smartphones erhöht werden. LTE (auch 4G) ist der neueste Standard für die drahtlose Mobilfunk-Kommunikation und ermöglicht Datenraten von bis zu 300 MBit/s – im Vergleich zu den 56 Mbit/s der Vorgänger-Generation (UMTS, 3G).


Das führt in mobilen Internet-Verbindungen zu schnellen Ladezeiten. Allerdings führt die steigende Komplexität des HF-Frontends zu mehr HF-Komponenten (Switches, Diplexer und Divider). Dies wiederum resultiert in höheren Verlusten für das Gesamtsystem und einer Verschlechterung des Signal-Rausch-Verhältnisses (SNR, Signal-Noise-Ratio).


Außerdem bedingt der Abstand zwischen den Antennen und dem HF-Transceiver zusätzliche Leitungsverluste, die die SNR und damit auch die Datenrate negativ beeinflussen.


Die LNA-Familien BGA7x1N6 und BGM7xxxx4L12 sollen hier für eine geringe Rauschzahl, präzise Verstärkung und hohe Linearität sorgen. Die Produkte basieren auf der firmeneigenen SiGe (Silizium-Germanium)-Chip-Technologie mit integriertem ESD-Schutz. Die LNAs und LNA-Bänke befinden sich sowohl in der Diversity- als auch Haupt-Antenne des Telefons, um die Empfangsempfindlichkeit des Systems und damit den Kundenutzen zu optimieren.


Damit sind Datenraten möglich, die um bis zu 96 Prozent höher sind als mit Lösungen ohne LNAs. So kann das LTE-Potenzial ausgeschöpft werden. Die hohe Linearität der Bausteine ermöglicht einen optimalen Empfang auch unter schwierigen Bedingungen, wie schlecht isolierten Antennen oder bei Leitungsverlusten zwischen Antenne und Transceiver.


Es wird eine Verbesserung der Empfindlichkeit von typisch 3,4dB im Vergleich zu Systemen ohne LNAs erreicht – und das mit Chip-Gehäusen, die um 70 Prozent (1,1mm x 0,7mm) kleiner sind als bei bisher verfügbaren LNAs bzw. um 61 Prozent (1,9mm x 1,1mm) kleiner als bei bisher verfügbaren LNA-Bänken.



Verfügbarkeit und Gehäuse

Infineon bietet insgesamt drei LNAs und sieben Quad-LNA-Bänke für LTE an, um die Frequenzband-Konfigurationen in unterschiedlichen Regionen zu adressieren. Die Buchstaben in der Bauteil-Bezeichnung stehen für die verschiedenen Frequenzbänder (L für Low mit 0,7 bis 1,0GHz, M für Mid mit 1,7 bis 2,2GHz und H für High mit 2,3 bis 2,7GHz). Die Bausteine werden in ROHS-kompatiblen Kunststoffgehäusen ( TSNP 6-2 oder TSLP 12-4) geliefert.