Infineon: IGBTs mit 1350V Sperrspannung und 20-A-RC-Diode

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Sein Angebot an RC (Reverse Conducting)-IGBTs (Insulated Gate Bipolar Transistors) für resonante Applikationen hat Infineon mit einem 1350-V-Baustein mit monolithisch integrierter 20-A-RC-Diode erweitert.



Die 20-A-RC-H5-Bausteine zielen z.B. auf Anwendungen wie Induktionskochfelder und Mikrowellenherde. Im Vergleich zur Vorgängergeneration reduziert der RC-H5 die Schaltverluste um 30 Prozent. Damit können Entwickler die Vorteile von höheren Frequenzen bis zu 30kHz nutzen.


Laut Infineon kann mit einem RC-H5-Baustein der Wirkungsgrad des Gesamtsystems ohne zusätzlichen Schaltungsaufwand um 0,5% auf jetzt 92 Prozent gesteigert werden. Durch den möglichen Einsatz von kleineren Induktoren mit weniger Kupfer werden die Systemkosten gesenkt. Der diskrete RC-H5-IGBT basiert auf der Technologie des RC-H3, die weiterhin für bestehende Designs zur Verfügung steht.


Durch die Reduktion der Leistungsaufnahme und die Verbesserung des thermische Verhaltens bei höheren Umgebungstemperaturen bis zu 175°C konnte die Zuverlässigkeit des RC-H5 weiter erhöht werden. Der Baustein zeichnet sich durch einen um 10 Prozent reduzierten Einschalt-Spitzenstrom aus, was zu weniger Stress für die passiven Komponenten führt und die Systemzuverlässigkeit erhöht.


Ein verbessertes elektromagnetisches Störverhalten (EMI) ist ein weiterer Vorteil. Das hat geringere Anforderungen an den Eingangsfilter zur Folge.



Sortiment Verfügbarkeit

Die RC-H5-Familie steht in der Stromklasse von 20A und mit Sperrspannungen von 1200V und 1350V in TO-247-Gehäusen zur Verfügung. Der RC-H5 1350V/20A wird bereits geliefert, während der RC-H5 1200V/20A im 2. Quartal 2014 erhältlich sein wird. Die Verfügbarkeit der RC-H3-Familie ist von der Ankündigung der neuen RC-IGBT-Generation unbeeinflusst.

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