Radarsysteme senden einen elektronischen Hochleistungs-Impuls in einem spezifischen Frequenzbereich aus und erfassen das Echo für diese Impulse. Daraus wird ein Abbild von entfernten Objekten gebildet. Für diese Applikationen müssen die in der Stromversorgung der pulsierenden Systeme eingesetzten Transistoren höchst effizient sein und ein stabiles Signal liefern können und zwar unter allen Betriebsbedingungen.
Der Leistungstransistor PTVA127002EV ist unempfindlich gegenüber einem Stehwellenverhältnis (VSWR) von 10:1). Die 700-W-Ausgangsleisung sorgt dafür, dass wenige Komponenten für das System benötigt werden.
Auf Basis der 50-V-LDMOS-Leistungstransistor-Technologie von Infineon bietet der Baustein einen Wirkungsgrad von typisch 55 Prozent über das L-Band (1200 bis 1400MHz), mit einer P1dB-Ausgangsleistung von 700W, einer Verstärkung von 16dB und geringem thermischen Widerstand – gemessen bei einer Pulsbreite von 300µs (10 Prozent Tastverhältnis).
Neben der Robustheit weisen die Bausteine einen Gate-Source-Spannungsbereich von -6V bis 12V sowie einen integrierten Schutz gegenüber elektrostatischen Entladungen (ESD) auf. Entwicklungsmuster des HF-Transistors und ein Evaluierungs-Board stehen ab sofort zur Verfügung.
Infineon: 700-W-Leistungstransistor für das L-Band
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