GaN-HF-Leistungselektronik für 2 bis 20 GHz

ANALOGTECHNIK

Ga N H F Leistungselektronik Für 2 Bis 20 G Hz
©Microchip Technology

Microchip Technology erweitert sein Angebot an GaN-HF-Leistungselektronik um MMICs (Monolithic Microwave Integrated Circuits) und diskrete Transistoren, die Frequenzen bis zu 20GHz abdecken. Die Bausteine sind für Anwendungen wie 5G, Satellitenkommunikation, Radarsysteme und Testgeräte vorgesehen.

Wie alle GaN-HF-Leistungselektronik-Bauelemente des Herstellers werden die Bausteine in GaN-auf-Siliziumkarbid-Technologie gefertigt, um eine Kombination aus hoher Leistungsdichte und Ausbeute sowie High-Voltage-Betrieb und eine Lebensdauer von mehr als 1 Mio. Stunden bei einer Sperrschichttemperatur von 255 °C zu erzielen.


Welche Komponenten gibt es neu? 

  • GaN-MMICs für 2 bis 18GHz, 12 bis 20GHz und 12 bis 20GHz mit 3dB-Compression-Point-(P3dB-)HF-Ausgangsleistung bis 20W und einem Wirkungsgrad bis 25%
  • Bare-Die- und gehäuste GaN-MMIC-Verstärker für S- und X-Band mit bis zu 60% PAE
  • diskrete HEMT-Bausteine (High Electron Mobility Transistor) für DC bis 14 GHz mit einer P3dB-HF-Ausgangsleistung bis 100W und einem maximalen Wirkungsgrad von 70%


Microchips Angebot an HF-ICs und GaN-Bauelementen reicht von Galliumarsenid-(GaAs-)HF-Verstärkern und -Modulen bis hin zu rauscharmen Verstärkern, Frontend-Modulen (RFFEs), Varaktoren, Schottky- und PIN-Dioden, HF-Schaltern und spannungsvariablen Dämpfungsgliedern. Hinzu kommen SAW-Sensoren (Surface Acoustic Wave), MEMS-Oszillatoren (Microelectromechanical Systems) sowie integrierte Module, die Mikrocontroller (MCUs) mit HF-Transceivern kombinieren (Wi-Fi MCUs), die funkbasierte Kurzstrecken-Kommunikationsprotokolle von Bluetooth über Wi-Fi bis LoRa unterstützen.


Das Unternehme bietet Unterstützung beim Board-Design und Design-In. Hinzu kommen Modelle für die GaN-Bauelemente, mit denen Anwender die Leistungsfähigkeit modellieren können.

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