Während die Takteingangs- und Datenausgangs-Signalpegel des ISOSD61 TTL/CMOS-kompatibel sind, bietet der ISOSD61L Kompatibilität zu LVDS (Low-Voltage Differential Signaling). Beide Varianten weisen eine ADC-Auflösung von 16 Bit und einen typischen Signal-Rauschabstand (SNR) von 86 dB auf.

Die eingebaute galvanische Isolations-Technologie beider Bauelemente vermeidet laut STM die allmähliche Verschlechterung, die bei alternativen, mit Optokoppler ausgestatteten Wandlern auftritt. Analoge Eingangssignale mit einer Amplitude bis zu ±320mV werden von den Bausteinen mit einer Abtastrate von bis zu 25MSPS in einen digitalen 1-Bit-Datenstrom umgewandelt. Die Isolation ist für maximale Kurzzeit- und Stoßspannungen bis zu 6kV und eine maximale Arbeitsspannung von 1,2 kV (unter normalen Betriebsbedingungen) garantiert. Überdies sorgen beide Bausteine mit ihrer Impulsfestigkeit (Common-Mode Transient Immunity, CMTI) von 30kV/µs für eine Unterdrückung steiler Störgrößen.

Die Bauelemente besitzen oberflächenmontierbare Kunststoffgehäuse der Bauform SO16W, die Luft- und Kriechstrecken von 8mm garantieren. Beide Produkte sind für den erweiterten industriellen Temperaturbereich von -40°C bis +125°C qualifiziert.

Es stehen zwei Evaluation Boards zur Verfügung. Das EVALST-ISOSD61T für den ISOSD61 und das EVALST-ISOSD61L für den ISOSD61L besitzen Koaxial- und Header-Anschlüsse für die Ein- und Ausgänge sowie zusätzliche Pads zum Anschluss eines Shunt-Stromsensors.

ISOSD61 und ISOSD61L werden bereits produziert und sind zu Preisen ab 2,50 US$ (ab 1.000 Stück) verfügbar.