17.01.2020

Evaluierungsplattform für das Design von SiC-basierten Stromrichterschaltungen

Littelfuse stellt die Gate Drive Evaluation Platform (GDEV) vor. Sie soll Entwickler bei der Evaluierung von SiC-MOSFETs, SiC-Schottky-Dioden und anderen peripheren Komponenten wie Gate-Treiber-Schaltungen unterstützen.


Bild: Littelfuse

Die GDEV-Plattform bietet Schnellanschluss-Stiftleisten.. Sie unterstützt eine 800V Zwischenkreis-Eingangsspannung und eine Schaltfrequenz von bis zu 200kHz.

 

Mit der Entwicklungs-Plattform können Nutzer den kontinuierlichen Betrieb von SiC-Leistungs-MOSFETs und -Dioden unter Nennspannung und Nennstrom untersuchen und auf Systemebene die Auswirkungen analysieren, welche mit SiC-basierten Designs verbunden sind, einschließlich Effizienzsteigerung, EMI-Emissionen und passive Komponenten (wie Größe, Gewicht, Kosten). Weiter ist die Leistung verschiedener Gate-Treiber-Lösungen unter klar definierten und optimierten Testbedingungen vergleichbar und es können Gate-Treiber-Schaltungen unter Dauerbetriebsbedingungen getestet werden, um die thermische Leistung des Gate-Treibers und die EMI-Festigkeit zu bewerten.


 


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