Die GDEV-Plattform bietet Schnellanschluss-Stiftleisten.. Sie unterstützt eine 800V Zwischenkreis-Eingangsspannung und eine Schaltfrequenz von bis zu 200kHz.
Mit der Entwicklungs-Plattform können Nutzer den kontinuierlichen Betrieb von SiC-Leistungs-MOSFETs und -Dioden unter Nennspannung und Nennstrom untersuchen und auf Systemebene die Auswirkungen analysieren, welche mit SiC-basierten Designs verbunden sind, einschließlich Effizienzsteigerung, EMI-Emissionen und passive Komponenten (wie Größe, Gewicht, Kosten). Weiter ist die Leistung verschiedener Gate-Treiber-Lösungen unter klar definierten und optimierten Testbedingungen vergleichbar und es können Gate-Treiber-Schaltungen unter Dauerbetriebsbedingungen getestet werden, um die thermische Leistung des Gate-Treibers und die EMI-Festigkeit zu bewerten.
