Die MOSFETs bieten einen Durchlasswiderstand (RDS(ON)) von maximal 0,79mΩ bei UGS = 10V. Die Bausteine sind mit einer Drain-Source-Spannung (UDSS) von 40V spezifiziert und können Drain-Ströme (ID) von bis zu 150A DC verarbeiten.
Das SOP-Advance-Gehäuse (WF) bietet benetzbare Anschlußpins, die eine automatisierte visuelle Inspektion von Lötstellen auf gedruckten Leiterplatten ermöglicht.
