Der Baustein enthält einen 600mΩ-High-Side-Leistungs-MOSFET und einen 300mΩ-Low-Side-Leistungs-MOSFET, was eine Abwärtswandlung mit einem Wirkungsgrad bis 90% erlaubt. Der Wandler ist für den Einsatz in Antriebssträngen, Infotainment-Systemen und Kombi-Instrumenten sowie in der Außenbeleuchtung von Fahrzeugen vorgesehen.
Technische Details
Der DC/DC-Wandler bietet einen Ruhestrom (IQ) von 90μA. Durch die Schaltfrequenzen von 2MHz lassen sich kleinere Induktivitäten und Kondensatoren nutzen. Die synchrone Gleichrichtung erübrigt eine externe Schottky-Diode, während Peak-Current-Mode-Regelung und die integrierte Schleifenkompensation die Gesamtzahl der Bauelemente weiter reduzieren.
Der verwendete proprietäre Gate-Treiber verringert Ringing in den Schaltknoten, ohne die Ein- und Ausschaltzeiten der MOSFETs zu beeinträchtigen. Dadurch verringern sich hochfrequente elektromagnetische Störungen (EMI), die durch das MOSFET-Schalten verursacht werden.
Der AP64060Q weist einen Betriebstemperaturbereich von -40 bis +125°C auf. Zu den Schutzfunktionen zählen Überspannungsschutz (OVP), Abschaltung bei Unterspannung (UVLO) und thermische Abschaltung.
Verfügbarkeit
Der Wandler wird im TSOT26-Gehäuse geliefert. Er ist zum Preis von 0,23 US-$ (ab 1000 Stück) erhältlich, nach AEC-Q100 (Grade 1) qualifiziert, unterstützt PPAP-Dokumentation und wird in IATF-16949-zertifizierten Einrichtungen gefertigt.
