40V-n-Kanal-Leistungs-MOSFET

PRODUKT NEWS

Toshiba Electronics Europe GmbH stellt mit dem TPHR7404PU einen 40V-n-Kanal-MOSFET vor, der im U-MOSIX-H-Prozess gefertigt wird. Der MOSFET reduziert laut Hersteller durch seine Low-spike Charakteristik das Überschwingen in Schaltanwendungen. Der Durchlasswiderstand beträgt 0,74mΩ (max.) bei einer UGS von 10V, die Gate-Schwellenspannung 2 bis 3V (Id = 1mA). Der MOSFET wird im 5mm x 6mm SOP-Advance-Gehäuse ausgeliefert. 



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