40-V- und 60-V-Power-MOSFETs

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Neue N-Kanal-Power-MOSFETs von Taiwan Semiconductor mit 40V und 60V erweitern das Schukat-Portfolio. Sie besitzen einen Logik-Level-Eingang und weisen eine maximale Sperrschichttemperatur von 175°C auf.



Die Bauteile entsprechen der RoHS-Richtlinie 2011/65/EU sowie der WEEE-Richtlinie 2002/96/EC und sind halogenfrei nach IEC 61249-2-21. Für eine verbesserte Leistungsdichte in Applikationen wurden die MOSFETs in einem kompakten PDFN56-Gehäuse mit kleinem Formfaktor untergebracht.


Zu den Anwendungsbereichen zählen die BLDC-Motorsteuerung, das Power-Management von Batterien, DC/DC-Wandler sowie Synchrongleichrichter. Die N-Channel MOSFETs von TSC sind ab sofort verfügbar.

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