40-V-MOSFETs mit einem RDS(on) von 0,55mΩ

PRODUKT NEWS

Nexperia präsen­tiert 40-V-Leistungs-MOSFETs mit einem RDS(on) von 0,55mΩ im LFPAK88-Gehäuse für Automobil- (BUK7S0R5-40H) und Industrie-Anwendungen (PSMNR55-40SSH). Die MOSFETs bieten unter allen 40-Volt-Typen, die Nexperia jemals produziert hat, den niedrigsten RDS(on), und laut eigener Angabe eine um den Faktor 50 höhere Leistungsdichte als ver­gleich­bare Bauteile im D2PAK-Gehäuse.



Die 8mm x 8mm x 1,7mm großen Leistungs-MOSFETs bieten außerdem klassenbeste Spezifi­kationen für den linearen Modus und SOA (safe operating area) und gewährleisten dadurch zuver­läs­siges Schalten hoher Ströme. Der sichere Arbeitsbereich (SOA) geht bei 1 ms und 20VDS bis 35A, und bei 10ms und 20VDS bis 17A.

Die AEC-Q101-qualifizierten Leistungs-MOSFETs der Familie BUK7S0R5-40H bieten laut Nexperia mehr als das Doppel­te der von der Automobilnorm geforderten Zuverlässigkeit. Sie eignen sich für Anwendungen in den Bereichen Bremsen, Servolenkung, Batterieverpolungsschutz, E-Sicherung, DC/DC-Wandler und Motorsteuerung. Die für Industrie-Anwendungen vorgesehenen Typen PSMNR55-40SSH eignen sich zur Batterietrennung, Strombegrenzung, E-Sicherung, Motorsteuerung, Synchrongleichrichtung und Lastschalter in Elektrowerkzeugen, Haushaltsgeräten, Lüftern, E-Bikes, Scootern und Rollstühlen.

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