Der MOSFET weist einen RDS(ON) von 0,54mΩ bei einer Gate-Ansteuerung von 10V auf. Seine Gate-Ladung beträgt dabei 117nC. Damit können Entwickler von Hochleistungs-BLDC-Motorantrieben, DC/DC-Wandlern und EV-Ladesystemen die Systemeffizienz maximieren und die Verlustleistung reduzieren.
Technische Details
Das PowerDI8080-5-Gehäuse nimmt 64mm² Platz auf der Leiterplatte (PCB) ein, was 40% weniger ist als beim Gehäuseformat TO263 (D2PAK). Die Off-Board-Bauhöhe beträgt 1,7 mm, was 63% weniger ist als beim TO263.
Das Kupfer-Clip-Bonding zwischen dem Chip und den Anschlüssen ermöglicht einen Wärmewiderstand zwischen Sperrschicht und Gehäuse von 0,36°C/W. Dadurch kann das Gehäuse Ströme bis zu 460A handhaben und eine achtmal höhere Leistungsdichte bereitstellen als ein TO263-Gehäuse.
Der DMTH4M70SPGWQ ist AEC-Q101-qualifiziert, PPAP-geeignet und wird in IATF-16949-zertifizierten Einrichtungen gefertigt. Seine Gull-Wing-Anschlüsse erleichtern die optische Inspektion (AOI) und erhöhen die Zuverlässigkeit bei Temperaturwechseln. Er kostet je 4,99 US-$ (ab 2000 Stück).
