Toshiba Electronics Europe erweitert sein Angebot an Low-Voltage-MOSFETs um zwei Serien. Die 30V-MOSFETs der TPN- und TPH-Serien basieren auf Toshibas achter Generation des U-MOSVIII-H-Prozesses und werden im Miniatur-TSON-Advance- bzw. SOP-Advance-SMD-Gehäuse ausgeliefert.
Zu den Einsatzbereichen zählen isolierte und nicht isolierte DC/DC-Wandler und Power-Management-Schaltkreise, die einen stromsparenden Betrieb, schnelles Schalten und minimalen Platzbedarf für die Leiterplatte erfordern. Die TPN-MOSFETs im TSON-Advance-Gehäuse nehmen 3mm x 3mm Fläche ein; die TPH-Serie im SOP-Advance-Gehäuse 5mm x 6mm.
Bei 10V weisen die fünf Bausteine der 30V-TPN-Familie einen RDS(ON) von 9,4 bis 2,2mΩ und eine Ciss von 630 bis 1600pF auf. Die TPH-Reihe besteht aus sieben Bausteinen, die bei UGS = 10V einen RDS(ON) von 9,4 bis nur 0,77mΩ bieten. Ciss beträgt bei den TPH-MOSFETs (bei UGS = 10V) zwischen 510 und 5300pF.
Muster stehen ab sofort zur Verfügung. Die Serienfertigung beginnt im Sommer 2013.
