Cree erweitert seine Z-FET-Familie mit einem 1.200V SiC-MOSFET. Er kann parallel geschaltet werden, um die Leistung zu optimieren. Der MOSFET ist bei seiner Betriebstemperatur von 100°C für 12A spezifiziert. Er ist für Sperrspannungen bis 1.200V vorgesehen und hat bei 25°C einen typischen RDS(on) von 160 Milliohm. Im Gegensatz zu Silizium-Schaltbausteinen mit ähnlichen Daten bleibt der RDS(on) bei dem SiC-MOSFET über den gesamten Betriebstemperaturbereich hinweg unter 200 Milliohm.
Der Leckstrom liegt unter 1µA. Der Baustein ersetzt Siliziumtransistoren (IGBTs), die derzeit in Anwendungen zwischen 3 und 10kW eingesetzt werden. Zu den Einsatzgebieten zählen Hochspannungs-Netzteile und ergänzende Leistungselektronik speziell für die Umwandlung von Drehstrom, außerdem PV-Wechselrichter, industrielle Antriebe, DC-Stromversorgungsarchitekturen für Datenzentren sowie PFC-Schaltungen. Der CMF10120D besitzt ein Industriestandard-Gehäuse des Typs TO-247.
