Das Programm umfasst Live-Präsentationen mit Fallstudien und Technologie-Demonstrationen aus den Laboren des Unternehmens. Den Abschluss der Konferenz bildet eine Podiumsdiskussion über GaN am Donnerstag, den 23. September, an der Experten von Nexperia und weitere Fachleute aus der Elektronikindustrie teilnehmen. Auch Beiträge von Teilnehmenden sind willkommen.
Themenauswahl:
- Vollständige elektrothermische MOSFET-Modelle
- 650-V-GaN-CCPAK-Evaluierung
- Design von industriellen Anwendungen mit Leistungs-MOSFETs
- Schottky-, Silizium-Germanium- oder Recovery- (PN) Gleichrichter?
Die Teilnahme ist kostenlos, die Registrierung ist ab sofort möglich.
