Dank der neuen Schaltungselemente ist der XT018-Prozess für moderne Anwendungen im Automobilbereich, wie monolithische Motorregler und physikalische Schnittstellen (PHY) einschließlich diskreter oder integrierter LIN/CAN-Transceiver geeignet.


Die XT018-Plattform ist für Anwendungen der nächsten Generation in den Bereichen Automobil, Industrie und Medizin konzipiert, mit Betriebsspannungen bis 200V und Betriebstemperaturen bis 175°C. Die Technologie vereint die Vorteile von SOI-Wafern mit tiefer Trenchisolation (DTI) mit denen von 180-Nanometer-Bulk-CMOS-Prozessen mit sechs Metalllagen.


Der Einsatz von SOI-Wafern als Ausgangsmaterial, kombiniert mit Trenchisolation anstelle der im CMOS-Bereich eher üblichen Sperrschichtisolation, soll das Entwicklungskonzept vereinfachen. Dank der SOI-Wafer entstehen keine parasitären bipolaren Effekte zum Substrat, was das Latch-Up-Risiko reduziert. Die SOI-Wafer erlauben außerdem die Entwicklung von Schaltungselementen wie vollständig isolierten Dioden zur Implementierung von Verpolungsschutz – dieser ist mit Bulk-CMOS- oder BCD-Technologien nur schwer zu realisieren.



Das Herzstück des neuen Angebots ...

ist ein 40V-NMOS-Transistor mit einem Einschaltwiderstand von 26 mΩ-mm². Hinzu kommen robuste 40V- und 60V-Schaltungselemente mit verbesserter ESD-Festigkeit sowie passende PMOS- und Verarmungstransistoren.



Verfügbarkeit

Die verbesserte XT018-Foundryplattform steht ab sofort zur Verfügung, inklusive voller PDK-Unterstützung für alle wichtigen EDA-Anbieter, Charakterisierung und Modellierung der Schaltungselemente sowie analoger, digitaler und Speicher-IP. Zusätzliche neue Schaltungselemente wie Verarmungstransistoren, Zener-Dioden, Hochleistungsbipolartransistoren und ein 200V-Bipolartransistor mit isolierter Gate-Elektrode (IGBT) sind ebenfalls einsatzbereit.