Schottky-Dioden im MicroSMP-Gehäuse

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Vishay hat sein Angebot an TMBS-Trench-MOS-Barrier-Schottky-Dioden in SMT-Bauform um zehn 1A- und 2A-Typen im MicroSMP (DO-219AD) Gehäuse erweitert. Sie bieten Sperrspannungen von 45V bis 150V und sind die nach Angabe des Herstellers weltweit ersten 2A-TMBS-Gleichrichter im MicroSMP-Gehäuse mit einer Durchlassspannung von nur 0,40V.



Mit einer Grundfläche von nur 2,5mm x 1,3mm und einer Höhe von 0,65mm ist es um 35% kleiner als das SOD123W-Gehäuse und beansprucht 45% weniger Leiterplattenfläche. Zudem soll es dank eines asymmetrischen Leadframe-Designs hervorragende thermische Eigenschaften besitzen.

 

Durch ihre Durchlassspannung von 0,36V für die 1A-Typen bzw. 0,40V für die 2A-Typen reduzieren die Dioden die Leistungsverluste und erhöhen den Wirkungsgrad. Die Bauteile sind auch in einer AEC-Q101-qualifizierten Version für Automobil-Anwendungen erhältlich.

 

Die Dioden sind für eine maximale Sperrschichttemperatur von +175°C spezifiziert, erfüllen die Anforderungen des Standards J-STD-020, Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 und können bleifrei bei einer Maximaltemperatur von 260°C gelötet werden.

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