Osram erhöht Lichtausbeute von High-Power-LEDs

BRANCHEN-NEWS ANALOGTECHNIK LED

image-30088
Durch Verbesserungen in der Epitaxie konnte Osram die Lichtausbeute von weißen LED gegenüber bisherigen Produkten steigern. Bei 3000 mA/mm² beträgt der Vorteil 7,5% (Quelle: Osram; zum Vergrößern bitte auf die Grafik klicken)

Osram Opto Semiconductors hat nach eigenen Angaben die Lichtausbeute seiner High-Power-LED berbessert durch eine Verringerung des unerwünschten Droop-Effekts, der vor allem bei hohen Strömen deutlich wird. Möglich wurde diese Entwicklung durch optimierte Epitaxieprozesse. Bei einer Stromdichte von 3 A/mm² liegt die Quanteneffizienz der LED nun 7,5% über dem bisherigen Niveau.

Der als Droop bekannte, unerwünschte Rückgang der Effizienz bei einer Erhöhung der Stromdichte begrenzt derzeit die maximale Lichtausbeute von Indium-Gallium-Nitrid-basierten blauen und weißen Leuchtdioden. Ingenieure bei Osram Opto Semiconductors konnten diesen Effekt nun reduzieren und damit die Effizienz der LED erhöhen.


Unter Laborbedingungen wurde bei einer Stromdichte von 3 A/mm² ein typischer Lichtstrom von 740 lm in einem QFN-LED-Gehäuse (Quad Flat No Lead) nachgewiesen – eine Verbesserung von etwa 7,5% gegenüber bisher typischen Werten (6200K, Cx 0,319, Cy 0,323, Ein-Chip-Variante LDxyz). Bei niedrigeren Strömen von 0,35 A/mm² beträgt der Vorteil der optimierten LED noch etwa 4%.



Die neuen Prozesse ...

kommen in allen auf der UX:3-Chiptechnologie basierenden LED von Osram Opto Semiconductors zum Einsatz und wirken sich auch auf weitere High-Power-Produkte positiv aus. Die Ergebnisse werden Schritt für Schritt in das bestehende Produktportfolio integriert.

Link(s)

Fachartikel