Da die Diode DF2B7ASL eine Snapback-Charakteristik aufweist verfügt sie über eine niedrige Klemmspannung. Durch diese niedrige Klemmspannung zusammen mit ihrem geringen dynamischen Widerstand schützt sie Halbleiter gegen elektrostatische Entladungsprozesse.
Die Diode DF2B7ASL bietet einen dynamischen Widerstand von 0,2 Ω sowie eine Klemmspannung (VC) von 11 V bei einer Betriebsspannung von 5 V (VRWM ≤ 5,5 V) und verfügt über eine ESD-Absorptionsfähigkeit von +/‑ 30 kV gemäß IEC61000-4-2 (Kontaktentladung).
Mit ihrem SOD-962 (SL2) Gehäuse benötigen die Dioden eine Fläche von 0,32 mm x 0,62 mm auf der Leiterplatte.
