ams: Fondry-Service für Optoelektronik

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Der Geschäftsbereich Full Service Foundry von ams erweitert seine 0,35-µm-CMOS-Prozess- Plattform für optoelektronische ICs und ermöglicht damit Chipdesignern die Verwendung von zusätzlichen Schaltungselementen mit höherer Empfindlichkeit und Genauigkeit sowie mehr Flexibilität bei optischen Filtern.



Die Plattform ist ein zusätzliches Angebot zur bisherigen "More than Silicon" Service- und Produktpalette, unter der das Unternehmen Technologiemodule, IP-Blöcke, Zellbibliotheken sowie Beratungs- und Serviceleistungen anbietet. Foundry Kunden können damit analoge und mixed-signal optimierte integrierte Schaltkreise entwickeln.



Die optoelektronische Foundry-Plattform ...

basiert auf dem 0,35-µm-CMOS-Prozess und umfasst Verbesserungen und Neuentwicklungen in der Prozesstechnologie, der Waferproduktion und deren Nachbehandlung sowie bei Gehäuse-Technologien. Auf Chipebene bietet ams den Foundry-Kunden Zugang zu speziellen PN-Dioden mit verbesserter Empfindlichkeit bei kundenspezifischen Wellenlängen (von blau bis nahem Infrarot) und minimiertem Dunkelstrom sowie eine PIN-Diode, die eine niedrige Kapazität mit hohem Quantenwirkungsgrad kombiniert.


Nach erfolgter Waferproduktion kann die Leistungsfähigkeit von optoelektronischen Bauteilen durch Aufbringen unterschiedlicher Beschichtungen verbessert werden. ams hat hierzu Entspiegelungsschichten (ARC, anti-reflective coating) und Interferenzfilter entwickelt. Sie werden in Form mehrerer Schichten hochtransparenter Oxide aufgetragen und erlauben die Fertigung genauer Hoch-, Tief- und Bandpässe (beispielsweise zum Blockieren von Infrarot oder ultraviolettem Licht) oder Spiegel mit präzisem Reflexionsgrad.


Filterparameter wie etwa Wellenlänge und Flankensteilheit können Foundry Kunden weitestgehend selbst bestimmen. Für bestimmte Wellenlängen optimierte farbige Beschichtungen (rot, grün, blau) erhöhen die Leistungsfähigkeit lichtempfindlicher Geräte. Kostengünstige durchsichtige Kunststoffgehäuse (substratbasiert oder Lead-Frame-basiert) sind für ICs mit einer niedrigen Anzahl von Pins verfügbar.



Verbesserte Gehäusetechnologie

Eine weitere Verbesserung in der Gehäusetechnologie sind 3D-WLCSP-Gehäuse. In Kombination mit einer proprietären Technologie zur Siliziumdurchkontaktierung (TSV, Through Silicon Via) erlauben diese Gehäusetypen Optimierungen bezüglich Durchlässigkeit, relativer Feuchtigkeit und Temperaturbereich sowie bei einer hohen Anzahl von Pins.

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