Das TLP176AM enthält MOSFETs und bietet eine Ausgangsnennspannung (VON) von 60V und einen Dauerlaststrom (ION) von 0,7A bzw. im Pulsbetrieb einen Laststrom von bis zu 2,1A. Das neue Fotorelais hat eine höhere ESD-Immunität als das derzeitige TLP172AM und ist zum früheren TLP172A hinsichtlich Leistungsfähigkeit und Footprint aufwärtskompatibel.
Da das TLP176AM normalerweise offen ist, eignet es sich als Ersatz für mechanische Relais vom Typ 1-Form-A. Da das TLP176AM einen Nennbetriebstemperaturbereich von -40 bis 110°C aufweist, eignet es sich für industrielle Anwendungen und vereinfacht die Anpassung der Temperaturspannen bei der thermischen Auslegung von Systemdesigns.
Das Relais bietet Schaltzeiten von 3ms (tON) und 0,5ms (tOFF) bei einer Isolationsspannung von 3750Veff. Es ist in einem 4-poligen SO6-Gehäuse untergebracht und nach UL1577 für sicherheitskritische Anwendungen zugelassen.
