Die MOSFETs TPH3R70APL und TPN1200APL bieten laut Toshiba den niedrigsten Durchlasswiderstand von 3,7 m Ω bzw. 11,5 m Ω ihrer Klasse. Die Bausteine verfügen über eine niedrige Ausgangsladung (QOSS: 74 / 24 nC) sowie eine niedrige Gate-Schaltladung (QSW: 21 / 7,5 nC) und sind für eine 4,5V Logic-Level-Ansteuerung geeignet.
Der TPH3R70APL ist in einem 5 mm x 6 mm SOP-Advance Gehäuse untergebracht und kann Drain-Ströme (ID) bis zu 90 A bewältigen, während der TPN1200APL in einem 3 mm x 3 mm TSON-Advance Gehäuse untergebracht ist und ID-Niveaus bis zu 40 A schaltet.
