06.10.2014

S-Band-Pallet und Hybridverstärker auf GaN-Basis

Der Hersteller von HF- und Mikrowellenlösungen Macom hat seine Strategie für Produkte mit GaN auf Si als mit GaN auf SiC vorgestellt. Kernpunkt dieses Vorhabens ist, GaN für den Volumenmarkt tauglich zu machen.


GaN liefert laut Macom 8 Mal mehr Rohstoff-Leistungsdichte als Hochleistungs-GaAs- und LDMOS-Technologien und besitzt darüber hinaus die Fähigkeit, die Gerätetechnik auf Hochfrequenz zu skalieren. Mit GaN-Technologie sind Entwickler in der Lage, hohe Bandbreiten unter Beibehaltung hoher Wirkungsgrade zu erzielen.



Kostenstruktur wird niedriger

Bei voller Ausreifung ist zu erwarten, dass die GaN auf Si-Kostenstruktur in Mainstream-Siliziumhalbleiterfabs gegenüber der heutigen GaN auf SiC-Struktur bedeutend niedriger wird. Macom ist deshalb gerade dabei, die Produktion auf 8-Zoll-Wafer umzustellen.


Das soll dazu beitragen, den eigenen Umsatz in Europa, der zirka 10% des gesamten Macom-Umsatzes beträgt, perspektivisch auf bis zu 25% zu erhöhen. Deshalb hat das Unternehmen jetzt in Deutschland seine neuen S-Band-GaN-Produkte im Surface-Mount-Gehäuse vorgestellt.



Zwei S-Band-GaN-Bausteine und ein Pallet

Die Produkte sind für zivile Flugsicherungs-, Wetterradar- und militärische Radaranwendungen optimiert. Es sind verschiedene Gehäuse und Leistungsstufen erhältlich. Die 30-W/Kanal- und 85-W/Kanal-Hybrid-GaN-Verstärker werden von einer 350-W/Kanal-Pallet-Option auf Aluminiumbasis ergänzt.


Die GaN auf SiC S-Band-Bausteine haben Abmessungen von 7mm x 7mm bzw. 14mm x 24mm, während das Pallet 51mm x 23mm misst. Ihre berechnete mittlere Betriebsdauer bis zu einem Ausfall (Mean Time To Failure – MTTF) bei 200 ⁰C beträgt rund 600 Jahre. Muster sind bereits verfügbar. 


 


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