Vishay: 600-V-E-Serie-MOSFETs

PRODUKT NEWS

Vishay präsentiert ein Bauteil seiner 600-V-E-Serie-Leistungs-MOSFETs. Der neue n-Kanal-MOSFET SiHH068N60E hat nach eigener Angabe einen um 27% geringeren On-Widerstand und eine um 60% geringere Gate-Ladung als die 600-V-E-Serie-MOSFETs der vorherigen Generation.



Der MOSFET eignet er sich für Stromversorgungs-Anwendungen bei Telekommunikation- und Industrieapplikationen. Das Bauteil bietet laut Vishay unter allen vergleichbaren Bauteilen am Markt das geringste Produkt aus Gate-Ladung und On-Widerstand – dies ist eine besondere Leistungszahl (FOM, figure of merit) für 600-V-MOSFETs bei Leistungsumwandlungen.

 

Der auf der Superjunction-Technologie der E-Serie basierende SiHH068N60E hat einen maximalen On-Widerstand von 0,059 Ohm bei 10V Gate-Spannung und eine Gate-Ladung nur 53nC.  Die effektiven Ausgangskapazitäten Co(er) und Co(tr) betragen 94 pF bzw. 591 pF.

 

Der MOSFET im PowerPAK-8x8-Gehäuse ist RoHS-konform und halogenfrei. Für die Überspannungsfestigkeit im Avalanche-Modus werden Grenzwerte garantiert, und das Bauteil wird auf Einhaltung dieser Spezifikation 100%ig UIS-getestet.

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