Der MOSFET eignet er sich für Stromversorgungs-Anwendungen bei Telekommunikation- und Industrieapplikationen. Das Bauteil bietet laut Vishay unter allen vergleichbaren Bauteilen am Markt das geringste Produkt aus Gate-Ladung und On-Widerstand – dies ist eine besondere Leistungszahl (FOM, figure of merit) für 600-V-MOSFETs bei Leistungsumwandlungen.
Der auf der Superjunction-Technologie der E-Serie basierende SiHH068N60E hat einen maximalen On-Widerstand von 0,059 Ohm bei 10V Gate-Spannung und eine Gate-Ladung nur 53nC. Die effektiven Ausgangskapazitäten Co(er) und Co(tr) betragen 94 pF bzw. 591 pF.
Der MOSFET im PowerPAK-8x8-Gehäuse ist RoHS-konform und halogenfrei. Für die Überspannungsfestigkeit im Avalanche-Modus werden Grenzwerte garantiert, und das Bauteil wird auf Einhaltung dieser Spezifikation 100%ig UIS-getestet.