Der ST2000JXH35A ist ein PP-IEGT-Baustein (Press-Pack Injection Enhanced Gate Transistor) mit 6500V/2000A, der für Hochspannungswandler in Gleichstrom-Übertragungssystemen, industriellen Motorantrieben und statischen Synchronkompensatoren (STATCOM) entwickelt wurde.
Der Baustein ist mit IEGT-Chips des Typs Trench mit optimierter Zellstruktur ausgestattet, die ein hohes Ausschaltvermögen und eine robuste Kurzschlussfestigkeit ermöglichen sollen.
Wir funktioniert das?
IEGT-Chips sind auf derselben Ebene angeordnet und werden dann von beiden Seiten gleichmäßig mit einer Molybdänplatte verpresst. Jede Kollektor- und Emitterelektrode des Chips kommt über die Molybdänplatte mit der Kupferelektrode in Kontakt, wenn mechanischer Druck ausgeübt wird. Dies stellt elektrische Verbindungen her und ermöglicht die Wärmeableitung.
Warum ist das nützlich?
- Der Baustein bietet eine Steigerung gegenüber dem bereits erhältlichen ST1700JXH26A von Toshiba: die Ausschalttestspannung wurde von 3600V auf 4500V erhöht. Das Produkt hat Kurzschlusstests bei 4500V bestanden.
- Da das Produkt über eine Nennspannung von 6500V verfügt, können in Gleichstrom-Übertragungsarchitekturen die Anzahl der in Reihe geschalteten Bauteile verringert werden.
- Da weniger Bauteile benötigt werden, lässt sich das Gewicht reduzieren und das Anlagendesign verkleinern.
- Das Produkt verfügt über ein Press-Pack-Design, das eine beidseitige Kühlung ermöglicht, sowie über eine hermetische abgedichtete Gehäusestruktur, was die für den Langzeitbetrieb in der Industrie erforderliche Zuverlässigkeit gewährleistet.
- Neben der Energieübertragungsinfrastruktur ermöglicht der Baustein höhere Nennspannungen sowie kompaktere Formfaktoren für industrielle Motorantriebe und Komponenten für die Blindleistungskompensation, die die Stromversorgungssysteme stabilisieren.
