Trenchstop-IGBT7 von Infineon im TO-247-Gehäuse

STROMVERSORGUNG

Nach den EconoDUAL- und Easy-Varianten bietet Infineon jetzt auch seine Trenchstop IGBT7-Technologie in einem diskreten Gehäuse an. Das TO-247-Bauteil wird mit einer Durchbruchspannung von 650V geliefert.



Das Portfolio der Trenchstop-Familie umfasst die Nennströme 20, 30, 40, 50 und 75A. Es eignet sich für die Parallelschaltung und zielt vor allem auf Anwendungen in den Bereichen industrielle Motorantriebe, Blindleistungskompensation, Photovoltaik und unterbrechungsfreie Stromversorgungen.


Basierend auf der Micro-Trenchtechnologie ...

weist der Trenchstop IGBT7-Chip laut Infineon geringere statische Verluste aus. Bezogen auf die gleiche Stromklasse wird die Durchlassspannung um zehn Prozent reduziert. Das führt zu einer Reduzierung von Verlusten in der Anwendung – insbesondere bei industriellen Antrieben, die in der Regel mit geringeren Schaltfrequenz arbeiten. Der IGBT-T7-Chip ist mit einer emittergesteuerten Diode der 7. Generation (EC7) kombiniert. Diese sorgt für einen um 150mV niedrigeren Vorwärtsspannungsabfall (V F) und eine sanfte Sperrverzögerung.

Das TO-247-Bauteil kann angepasst werden, um das anwendungsspezifisch beste Verhältnis von dv/dt und Schaltverlusten zu erreichen. Der 650V-Trenchstop-IGBT7 hat den JEDEC-basierten HV-H3TRB-Test (High Voltage High Humidity High Temperature Reverse Bias) bestanden, der die Zuverlässigkeit in einer sehr feuchten Umgebung belegt.

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