Mit dem Baustein lassen sich bis zu drei externe NMOS-Halbbrücken-Applikationen ansteuern, wobei jede der drei Halbbrücken des E910.69 durch einen separaten Logik-Eingang kontrolliert wird. Die Treiberausgänge zur Ansteuerung von sechs externen n-Kanal-Leistungstransistoren liefern PWM-Signale bis zu 20 kHz. Durch einstellbare Schwellen und Überwachung der Drain-Source-Spannung sind die externen Leistungstransistoren gegen Kurzschluss und mittels Strommessung an externen Shunts gegen Überstrom geschützt. Mittels Programmierung der Gate-Treiberströme lässt sich die Flankensteilheit an den Phasen einstellen. Über eine serielle Schnittstelle (SPI), die auch der Versorgungsspannungs-Überwachung dient, können die Treiber parametriert und Diagnosedaten ausgelesen werden.
Die Ansteuerung der High-Side-Transistoren erfolgt mit Hilfe einer Bootstrap-Schaltung. Bei niedriger Versorgungsspannung stellt eine Charge Pump eine erhöhte Ladespannung für die externen Bootstrap-Kondensatoren und die Ansteuerung der Low-Side-Transistoren zur Verfügung.
Durch den Betriebsspannungsbereich von 7 bis 60 V ist der E910.69 sowohl in 12-, 24- und 42-V-Bordnetzen als auch in 24-V-Industrienetzen einsetzbar.
