Mit den Bauteilen können asymmetrische Ausgangsspannungen implementiert werden, wodurch isolierte Gate-Treiber kostengünstig und platzsparend versorgt werden können. Damit eignet sich die 2EP1xxR-Bauteile für Industrieanwendungen oder Anwendungen der Unterhaltungselektronik, die isolierte Gate-Treiber benötigen, darunter Solaranwendungen, das Laden von Elektrofahrzeugen, Energiespeichersysteme, Schweißarbeiten, unterbrechungsfreie Stromversorgungen und Antriebsanwendungen.

Technische Details

Die 2EP1xxR-Familie ist in einem TSSOP8-Pin-Gehäuse untergebracht, integriert die Leistungsendstufe, sowie Optimierungen zur Erzeugung einer asymmetrischen Ausgangsspannung. Die Produktfamilie ist durch die Fähigkeit zur Anpassung des Tastverhältnisses für die asymmetrische Gate-Treiber-Versorgung optimiert. Die Bauteile unterstützen einen Eingangsspannungsbereich bis 20V. Sie bieten einen integrierten Temperatur-, Kurzschluss- und Unterspannungsabschaltungsschutz (UVLO).

Es sind vier Produktvarianten erhältlich.

• 2EP100R und 2EP101R sind für Designs mit geringer Bauteilanzahl für die Stromversorgung von IGBT- und SiC-MOSFET-Gate-Treibern optimiert.
• 2EP110R ermöglicht eine Feineinstellung des Tastverhältnisses, um das Ausgangsspannungsverhältnis an die Anwendungsanforderungen von SiC- und GaN-Leistungsschaltern anzupassen.
• 2EP130R ist für flexible Designs optimiert, um unterschiedliche Anwendungsanforderungen zu erfüllen. Das Bauteil bietet einen 5-stufigen Überstromschutz, 41 wählbare Schaltfrequenzen oder Synchronisation mit externer PWM für die Transformatoranpassung und 41 wählbare Tastverhältnisoptionen zur Anpassung der Ausgangsspannung.

Entwicklungsunterstützung

Es stehen die Evaluierungsplatinen EVAL-2EP130R-VD, EVAL-2EP130R-PR und EVAL-2EP130R-PR-SIC zur Verfügung.