Das neue Gehäuse SOP Advance(E) von Toshiba stellt eine Verbesserung gegenüber dem bisherigen Modell SOP Advance(N) dar. Es reduziert den Gehäusewiderstand laut Hersteller um ca. 65% und den Wärmewiderstand um ca. 15%.
Obwohl 80V/TPM1R908QM dieselbe Nennspannung wie das bisherige Produkt TPH2R408QM hat, kann der Drain-Source-Einschaltwiderstand (RDS(ON)) um ca. 21% und der Wärmewiderstands zwischen Kanal und Gehäuse (Rth(ch-c)) um ca. 15% reduziert werden.
Ebenso werden beim 150 V TPM7R10CQ5 ein um ca. 21% niedrigerer RDS(ON)-Wert und einen um ca. 15% niedrigerer Rth(ch-c)-Wert erreicht als bei Toshibas bisherigem Modell TPH9R00CQ5 – ebenfalls bei gleicher Spannung. TPM7R10CQ5 verfügt über eine Body-Diode für mehr Effizienz bei der Synchrongleichrichtung.
Technische Details
- Die Drain-Source-Spannung (VDSS) des TPM1R908QM beträgt 80V, der maximale Drainstrom (ID) 238A (Tc=25°C) und der maximalen RDS(ON)1,9 mΩ (VGS=10V).
- Der TPM7R10CQ5 hat eine VDSS von 150V, einen ID von 120A (Tc=25°C) und einen maximalen RDS(ON) von 7,1 mΩ (VGS=10V).
- Die Kanaltemperatur (Tch) beträgt bei beiden Produkten 175°C und der maximale Rth(ch-c)-Wert 0,6°C/W (Tc=25°C).
- Das Gehäuse SOP Advance(E) misst typischerweise 4,9mm x 6,1mm.
Entwicklungsunterstützung
- G2-SPICE-Modelle zur Simulation des Einschwingverhaltens
- G0-SPICE-Modell für die Überprüfung der Funktion einer Schaltung
