Von Toshiba Electronics Europe ist die zweite Generation der weißen LETERAS-LEDs verfügbar, die im GaN-on-Si-Prozess (Galliumnitrid auf Silizium) gefertigt werden. Die 1-W-LEDs mit der Bezeichnung TL1F2 LEDs sind für allgemeine und industrielle Beleuchtungsanwendungen vorgesehen. Hochleistungsfähige weiße LEDs werden sonst auf tueren Saphir-Substraten und Wafern mit 100 oder 150mm gefertigt.

Toshiba hat jetzt einen Prozess entwickelt, mit dem GaN-LEDs auf 200-mm-SiWafern günstiger hergestellt werden können. Die Saphir-Substrate werden durch günstigere Silizium-Substrate ersetzt und die Produktion erfolgt in bestehenden Halbleiter-Fabs.

Die höhere Lichtausbeute der weißen TL1F2 LEDs im Vergleich zur TL1F1-Serie ist durch eine Erhöhung der optischen Ausgangsleistung der GaN-auf-Si LED-Chips als auch durch Optimierungen am Gehäuse erreicht worden. Die TL1F2-Serie ist im Farbtemperaturbereich (CCT; Correlated Colour Temperature) von 2700 bis 6500K mit einem Farbwiedergabe-Index (CRI; Colour Rendering Index) von 80 bzw. 70 erhältlich.

Der Lichtstrom der 1-W-Leuchtdioden reicht je nach Farbtemperatur und CRI von 104 bis 135 Lumen. Die LEDs werden im Standardgehäuse 6450 mit den Abmessungen 6,4mm x 5,0mm x 1,35mm ausgeliefert. Der Betriebsstrom (IF) beträgt 350mA, die Durchlassspannung (VF) ist 2,85V.

Mit einem Betriebstemperaturbereich von -40 bis 100°C eignet sich die TL1F2-Serie für Innen- und Außenanwendungen in Lampen, Deckenleuchten, Straßenlaternen und in Flutlichtstrahlern. Die Serienfertigung der TL1F2-Serie beginnt im November 2013.