Der TPH2R408QM und TPN19008QM sind 80V-U-MOSX-H-Bausteine, die im Vergleich zu entsprechenden 80V-Leistungs-MOSFETs auf Basis früherer Prozesse wie U-MOSVIII-H einen um 40% geringeren Durchlasswiderstand (RDS(ON)) aufweisen. Der TPN19008QM bietet einen RDS(ON)-Wert von 19mΩ (max.) und der TPH2R408QM einen Wert von 2,43mΩ.
Durch einen speziellen Aufbau wurde das Produkt aus RDS(ON) und Gate-Ladung um bis zu 15% und das Produkt aus RDS(ON) und Ausgangsladung um 31% verbessert. Zusammen mit dem verbesserten RDS(ON) weisen die MOSFETs laut Toshiba die branchenweit niedrigste Verlustleistung auf.
Beide Bausteine werden in SMD-Gehäusen ausgeliefert und sind für eine Drain-Source-Spannung (UDSS) von 80V ausgelegt. Die maximale Kanaltemperatur (Tch) beträgt 175°C . Der TPN19008QM ist für einen Drainstrom (ID) von 34A ausgelegt und befindet sich in einem 3,3mm x 3,3mm TSON-Advance-Gehäuse, während der TPH2R408QM für einen ID von 120A ausgelegt und im 5mm x 6mm SOP-Advance-Gehäuse verfügbar ist.
