Die MOSFETs eignen sich für Schaltanwendungen in der Automotive-Leistungselektronik. Der begrenzte Schwellenspannungsbereich sorgt für eine kürzere Totzeit in Halb-/H-/B6-Brücken. Der Grund dafür: Der maximale Uth-Unterschied zwischen dem Low-Side-MOSFET und High-Side-MOSFET ist kleiner.
In Anwendungen mit parallel geschalteten MOSFETs verbessert der eingegrenzte Uth-Bereich das synchrone Schalten der Bausteine. Damit verteilen sich die Schaltverluste gleichmäßiger unter den MOSFETs. Falls ein einzelner MOSFET früher oder später schaltet als andere parallele MOSFETs, konzentrieren sich die Schaltverluste auf diesen einen MOSFET.
Die MOSFETs eignen sich für Automotive-Motoren in 48V-Systemen, DC/DC-Wandler und Lastschalter.
Der TK160F10N1L wird im TO-220SM(W)-Gehäuse ausgeliefert und weist einen maximalen Durchlasswiderstand (RDS(ON)) von 2,4mΩ auf. Er ist entsprechend AEC-Q101 für Automotive-Anwendungen qualifiziert.
