Texas Instruments errichtet weitere 300-mm-Fab

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Texas Instruments hat in Lehi (Utah/USA) mit dem Bau einer neuen Fertigungsstätte von 300-mm-Halbleiterwafern begonnen. Sie trägt den Namen LFAB2 und wird an die bestehende 300-mm-Fab des Unternehmens in Lehi angebunden.



TI hatte bereits im Februar 2023 bekanntgegeben, 11 Mrd. US-Dollar am Standort Utah investieren zu wollen. Mit LFAB2 werden bei TI etwa 800 zusätzliche Arbeitsplätze geschaffen, wobei Tausende weitere indirekte Jobs damit verbunden sein sollen.

 Produktionsbeginn soll 2026 sein. Beide Fabs sollen nach Fertigstellung täglich einige zehn Millionen Analog- und Embedded-Processing-Chips produzieren.


Die Fabs

LFAB2 wird die bestehenden 300-mm-Fabs von TI ergänzen. Dazu gehören neben dem Werk LFAB1 in Lehi/Utah auch die Fabs DMOS6 (Dallas/Texas) sowie RFAB1 und RFAB2 (beide in Richardson, Texas). Vier neue 300-mm-Fabs (SM1, SM2, SM3 und SM4) baut TI ferner im texanischen Sherman. Hier soll die erste Fab im Jahr 2025 die Produktion aufnehmen. 

Die Ausweitung der Fertigungskapazität bei TI erfolgt mit Aussicht auf Unterstützung durch den CHIPS and Science Act.


MINT-Initiative

TI wird eine Summe von 9 Mio. US-Dollar in den Alpine School District in Utah investieren. Ziel ist die Entwicklung einer MINT-Lerngemeinschaft (Mathematik, Informatik, Naturwissenschaft, Technik) für sämtliche Altersgruppen – vom Kindergarten bis zur 12. Klasse.