Texas Instruments baut 300-mm-Waferfab in Texas

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Sherman Groundbreaking With T I Leaders And Elected Officials
©Texas Instruments
Die Grundsteinlegung; von links: Tim Kinnard, Vice President, Worldwide Wafer Fab Manufacturing Operations; Kyle Flessner, Senior Vice President, Technology and Manufacturing Group; Virginia Schaefer, Director, Government Relations; Texas Governor Greg Abbott; Rich Templeton, Chairman, President and Chief Executive Officer; Sherman Mayor David Plyler; Christine Witzsche, Senior Vice President, Communications and Investor Relations; Haviv Ilan, Executive Vice President, Chief Operating Officer.

Texas Instruments hat im texanischen Sherman den Grundstein für eine neue Fertigungsstätte für 300-mm-Halbleiterwafer gelegt. Die Zahl der täglich produzierten Analog- und Embedded-Processing-Chips soll dort zukünftig im zweistelligen Millionenbereich liegen.

Das Investment mit einem potenziellen Volumen von 30 Mrd. US-Dollar umfasst Pläne für insgesamt vier Fabs. Dabei werden bis zu 3.000 Arbeitsplätze entstehen.


Der Produktionsbeginn ...

der ersten Fab in Sherman wird für 2025 anvisiert. Die Fabriken werden die bestehenden 300-mm-Fabs von TI ergänzen. Dazu gehören das Werk DMOS6 in Dallas sowie die Fab RFAB1 und die kurz vor der Fertigstellung stehende Fab RFAB2 (beide in Richardson, Texas). Das letztgenannte Werk soll noch in diesem Jahr seinen Betrieb aufnehmen, Anfang 2023 gefolgt vom Produktionsbeginn im Werk LFAB (Lehi, Utah).

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