Durch Messen der Spannung über dem internen Rds(on) eines Leistungs-MOSFETs oder der VCE(on) eines IGBTs während der Einschaltzeit des Schalters vermeidet der IR25750 große externe Strommesswiderstände, Kühlkörper und übermäßige Leistungsverluste.


Der Gate-Treibereingang des IR25750 liefert die Versorgungsspannung VCC an das IC und synchronisiert die Messschaltung des Rds(on) oder der VCE(on) mit den Ein- und Ausschaltzeiten des MOSFETs oder IGBTs. Der Baustein, der IR’s proprietäre Hochvolt-Technologie nutzt, enthält darüber hinaus eine 600V-Spannungsfestigkeit, die benötigt wird, um hohe VDS- oder VCE-Spannungen während der Abschaltzeit des Schalters zu blockieren.


Zu weiteren Merkmalen zählen eine interne Filterverzögerung beim Einschalten von 200ns typ. sowie eine interne 20,8V Zener-Klemmspannung an den GATE- und CS-Pins.


Das Strommess-IC ist ein Baustein, der mithilfe des Rds(on) eines Leistungs-MOSFETs oder der VCE(on) eines IGBTs den Strom misst und dabei die Notwendigkeit großer Strommesswiderstände vermeidet. Diese Features führen zu Erhöhungen des Wirkungsgrads und Platzeinsparungen in Hochstromanwendungen, zu denen unter anderem die universelle Leistungselektronik im Switch-Mode-Betrieb, die Motorregelung und industrielle Anlagen zählen.


Der IR25750 ist mit integriertem ESD und Latchup-Festigkeit auf allen Ein- und Ausgängen ausgestattet, um einen robusten monolithischen Schutz sicherzustellen. Er ist für industriellen Einsatz sowie Feuchtigkeits-Empfindlichkeitspegel 1 (MSL 1) qualifiziert. Die Bausteine sind bleifrei und RoHS-konform.