Strahlungsfeste weltraumqualifizierte NOR-Flash-Speicher

FPGA-EDA

Infineon Technologies LLC, ein Unternehmen der Infineon Technologies AG, bringt die nach eigener Angabe ersten strahlungsfesten High-Density-NOR-Flash-Speicher auf den Markt. Die NOR-Flash-Speicher sind nach dem QML-V flow (QML-V Äquivalent) der MIL-PRF-38535 qualifiziert, einem Zuverlässigkeitsstandard für ICs in der Luft- und Raumfahrt.



Bei den nichtflüchtigen, strahlungsfesten 256-MB- und 512-MB-NOR-Flash-Speichern handelt es sich um Single-Chip-Lösungen mit geringer Pin-Zahl für Anwendungen wie FPGA-Konfiguration, Bildspeicherung, Mikrocontroller-Daten und Boot-Code-Speicherung. Die NOR-Flash-Speicher sind strahlungsfest bis zu 30 krad (Si) biased und 125 krad (Si) unbiased. Bei 125°C unterstützen die Speicher 1.000 Programm- und Löschzyklen und 30 Jahre Datenerhalt, bei 85°C sind 10k Programm- und Löschzyklen mit 250 Jahren Datenerhalt spezifiziert. Beide Speicher verfügen über eine SDR-Schnittstelle mit 133 MHz. Das 512-MBit-Bauteil besteht aus zwei unabhängigen 256-MB-Dies, die nebeneinander in einem Gehäuse Platz finden.


Die NOR-Flash-Speicher können systemintern ...

über das FPGA programmiert werden oder über ein eigenständiges Programmiergerät, das im gleichen 36-poligen Keramik-Flachgehäuse angeboten wird. Das Entwicklungskit und die Software von Infineon ermöglichen die Design-Implementierung.

Die strahlungsfesten Speicher sind in einem 24mm x 12mm großen, 36-poligen Keramik-Flatpack-Gehäuse erhältlich. Die Bausteine unterstützen Temperaturklassen von -55°C bis 125°C mit einer SEU-Rate <1 x 10-16 Upsets/Bit-Tag, SEL > 60 MeV.cm2/mg (85°C), SEFI > 60 MeV.cm2/mg (LET) und SEU-Schwelle > 28 Mev.cm2/mg (LET). 

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