Simos Elektronik und SemiQ schließen Kooperationsvertrag

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Simos Elektronik erweitert sein Vertriebsprogramm um Leistungs-Halbleiter und Module von SemiQ, die auf Siliziumkarbid-Technologie (SiC) basieren. Die Produkte sind unter anderem für den Einsatz in medizinischen Netzteilen, On-Board-Ladegeräten für E-Mobility und in Industrie- und Solar-Invertern geeignet.



Zum Produktportfolio gehören SiC-Dioden (650V, 1200V, 1700V), SiC-MOSFETs (1200V, 80mOhm),  SiC-MOSFET Power Module (Halbbrücke, Boost, Buck), (600V, 1200V, 1700V) und SiC-Diodenbrücken (parallel, antiparallel, Vollbrücke, Chopper) sowie Si-IGBT-Power-Module (1200V), die laut Anbieter kompatibel zu vielen Infineon Modulen sind.

SemiQ stellt damit die 3. Generation von SiC-Dioden bereit. Diese Produkte sollen Verbesserung hinsichtlich Zuverlässigkeit, Stoßstromfähigkeit und Feuchtigkeitsbeständigkeit mit sich bringen. Der Hersteller verfügt über eine eigene Fertigung. Der Kooperationsvertrag betrifft die Region Zentraleuropa.

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