Siliziumkarbid-Schottky-Dioden

PRODUKT NEWS

Diodes gibt die Markteinführung seiner ersten Schottky-Dioden aus Siliziumkarbid (SiC) bekannt. Das Portfolio umfasst die Serie DSCxxA065 mit elf Produkten für 650V (4A, 6A, 8A und 10A) und die Serie  DSCxx120 mit acht Produkten für 1200V (2A, 5A und 10A).



 

Diese Wide-Bandgap-Bauteile bieten die Vorteile einer erheblich verbesserten Effizienz und Hochtemperaturzuverlässigkeit. Die Dioden eignen sich für AC/DC-, DC/DC- und DC/AC-Wandler, Photovoltaik-Wechselrichter, unterbrechungsfreie Stromversorgungen und industrielle Motorantriebe. 

Die effiziente Leistung dieser SiC-Bauelemente ist siliziumbasierten Produkten überlegen und bietet Entwicklern von Netzteilen Vorteile wie:

  • Vernachlässigbare Schaltverluste aufgrund niedriger kapazitiver Ladung, die einen hohen Wirkungsgrad in schnell schaltenden Anwendungen bietet. 
  • Niedrige Durchlassspannung, die den Wirkungsgrad verbessert und Leistungsverluste reduziert.
  • Reduzierte Wärmeableitung, die dazu beiträgt, das Kühlbudget des Gesamtsystems zu senken.
  • Hohe Stoßstromfähigkeit.

Drei Gehäuseoptionen umfassen Oberflächenmontage TO252-2 (Typ WX), Durchsteckmontage TO220AC (Typ WX) und ITO220AC (Typ WX-NC).

Die Serien DSCxxA065 und DSCxx120 sind ab 1,24US$ bis 2,33US$ bzw. 1,70US$ bis 6,68US$ in Abnahmemengen von 1.000 Stück erhältlich.

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