Cree erweitert sein Produktportfolio um Wolfspeed Siliziumkarbid-MOSFETs mit 650V. Diese sind laut Hersteller für eine Vielzahl industrieller Anwendungen geeignet wie beispielsweise On-Board-Ladegeräte in Elektrofahrzeugen. Die Bauelemente mit 15mΩ und 60mΩ RDSon basieren auf der C3MTM-Technologie der dritten Generation von Cree. Sie sorgt nach eigener Angabe für 20 Prozent niedrigere Schaltverluste gegenüber herkömmlichen Siliziumkarbid-MOSFETs.
Im Vergleich zu Silizium haben Wolfspeeds Siliziumkarbid-MOSFETs 75 Prozent geringere Schaltverluste und bieten eine 50prozentige Reduzierung der Leitungsverluste, was potenziell zu einer Steigerung der Leistungsdichte um 300 Prozent führt.
Die 650-V-Siliziumkarbid-MOSFETs von Wolfspeed sind ab sofort verfügbar in Gehäusen für die Durchsteck- und Oberflächenmontage.
