Um industrielle Anwendungen auf höhere Leistungsstufen mit minimierten Leistungsverlusten umzustellen, ist eine erhöhte Zwischenkreisspannung nötig. Infineon Technologies hat dafür die CoolSiC Schottky Diode 2000V G5 entwickelt. Die diskrete Siliziumkarbid-Diode weist eine Durchbruchspannung von 2000V auf.

Die Produktfamilie eignet sich für Anwendungen mit Zwischenkreisspannungen von bis zu 1500 VDC und bietet Nennströme von 10 bis 80A. Damit ist sie für Anwendungen mit höheren Zwischenkreisspannungen geeignet, wie sie im Bereich Solar und beim Laden von Elektrofahrzeugen auftreten.

Technische Details

Die Produktfamilie wird in einem TO-247PLUS-4-HCC-Gehäuse mit 14mm Kriech- und 5,4mm Luftstrecke geliefert. Zusammen mit Nennströmen bis 80A ermöglicht das eine höhere Leistungsdichte. Laut Hersteller lassen sich so im Vergleich zu 1200-V-Lösungen schon mit der Hälfte der Komponenten höhere Leistungsstufen erreichen. Das unterstützt den Übergang von mehrstufigen zu zweistufigen Topologien.

Darüber hinaus nutzt die CoolSiC Schottky Diode 2000V G5 die .XT Interconnection-Technologie, die zu einem geringeren Wärmewiderstand und einer geringeren thermischen Impedanz führen soll. Die Robustheit gegenüber Feuchtigkeit wurde in Zuverlässigkeitstests gemäß HV-H3TRB nachgewiesen.

Verfügbarkeit

Die 2000-V-Diodenfamilie passt zu den CoolSiC MOSFETs 2000V im TO-247Plus-4 HCC-Gehäuse, die Infineon im Frühjahr 2024 eingeführt hatte. Das Portfolio der CoolSiC Dioden 2000V wird um Produkte im TO-247-2-Gehäuse erweitert, die ab Dezember 2024 erhältlich sein sollen. Für die CoolSiC MOSFETs 2000V ist auch ein passendes Gate-Treiber-Portfolio verfügbar.

Neben der 2000V G5-Familie im TO-247PLUS-4-HCC-Gehäuse ist ein Evaluierungsboard verfügbar.